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科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法
信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2024-10-15 09:49:51 | 瀏覽量:96688
常見的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn),被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持hBN較多優(yōu)異性質(zhì),并具有非中心對(duì)稱的ABC堆垛結(jié)構(gòu),因而具備本征的滑移鐵電性和非線性光學(xué)性質(zhì)。rBN是極具應(yīng)用潛力的功…
常見的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn),被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持hBN較多優(yōu)異性質(zhì),并具有非中心對(duì)稱的ABC堆垛結(jié)構(gòu),因而具備本征的滑移鐵電性和非線性光學(xué)性質(zhì)。rBN是極具應(yīng)用潛力的功能材料,可以為變革性技術(shù)應(yīng)用如存算一體器件和深紫外光源等提供新材料和解決方案。然而,相較于常見的hBN晶體,rBN晶體屬于亞穩(wěn)相,因而制備多層rBN單晶充滿挑戰(zhàn)。制備困難在于快速生長(zhǎng)的首層hBN薄膜對(duì)襯底催化產(chǎn)生屏蔽效應(yīng),阻礙后續(xù)層數(shù)的持續(xù)生長(zhǎng),同時(shí),界面間B和N原子的范德華作用導(dǎo)致具有AA’A堆垛的hBN晶體在成核過程中具有能量?jī)?yōu)勢(shì)。因此,人工制造大尺寸rBN晶體是尚未解決的難題。
中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心研究員白雪冬團(tuán)隊(duì)與北京大學(xué)的科研人員等合作,在氮化硼單晶制備方面取得進(jìn)展。2019年,該團(tuán)隊(duì)開發(fā)了利用表面對(duì)稱性破缺襯底外延非中心對(duì)稱型二維單晶的方法,實(shí)現(xiàn)了大面積單層hBN單晶薄膜制備。近日,該團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步提出基于表面對(duì)稱性破缺襯底面內(nèi)、面外協(xié)同調(diào)控的創(chuàng)新機(jī)制,即通過在單晶金屬鎳表面構(gòu)建由(100)晶面和(110)晶面組成斜面高臺(tái)階,在化學(xué)氣相沉積的形核階段匹配并逐層鎖定rBN晶格的面內(nèi)晶格取向和面外滑移矢量,進(jìn)而在大面積范圍內(nèi)誘導(dǎo)形成同向rBN晶疇。掃描透射電子顯微鏡觀測(cè)表明,取向一致的rBN晶疇通過逐層無縫拼接,形成具有精準(zhǔn)ABC原子堆垛的晶體結(jié)構(gòu),制備出rBN單晶,面積可達(dá)4×4平方厘米。
該研究通過理論計(jì)算發(fā)現(xiàn),rBN非中心對(duì)稱堆垛會(huì)導(dǎo)致其層間電極化矢量在面外方向積累,展現(xiàn)鐵電性。研究利用壓電力掃描探針,測(cè)量驗(yàn)證了rBN具有高居里溫度鐵電性,并實(shí)現(xiàn)了鐵電疇區(qū)反復(fù)的擦、寫操作。透射電鏡原位觀測(cè)結(jié)果進(jìn)一步確認(rèn)了rBN的極化翻轉(zhuǎn)源自層間滑移。
該工作提出了傾斜臺(tái)階面制備多層菱方氮化硼單晶的新方法,創(chuàng)新了表面外延生長(zhǎng)模式,通過精準(zhǔn)排列三維空間原子,人工制造新型晶體,并將以往的氮化硼絕緣介質(zhì)賦予鐵電存儲(chǔ)功能,為制造存算一體器件提供了新的材料策略。
5月1日,相關(guān)研究成果以Bevel-edge epitaxy of ferroelectric rhombohedral boron nitride single crystal為題,在線發(fā)表在《自然》(Nature)上,并申請(qǐng)國(guó)際PCT專利和中國(guó)發(fā)明專利。該工作由物理所、北京大學(xué)、西湖大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院合作完成。研究工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)、科學(xué)技術(shù)部、中國(guó)科學(xué)院和廣東省的支持。
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2024-12-20 13:13:12
六方氮化硼是由氮原子和硼原子構(gòu)成的晶體,是一種廣泛使用的材料,它在許多領(lǐng)域都具有重要的應(yīng)用,例如高溫潤(rùn)滑劑和模型的脫模劑等。然而,它并不導(dǎo)電?!?
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2024-12-20 13:10:06
研究背景和主要內(nèi)容單晶六方氮化硼 (hBN) 在許多涉及二維 (2D) 材料的研究中發(fā)揮著重要作用。絕緣 hBN 的一個(gè)顯著應(yīng)用是通過將 2D 材料封裝在 hBN 薄片…
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2024-12-14 15:52:13
范德華層狀材料由于表面不存在懸掛鍵及其優(yōu)越的電學(xué)特性,在制造下一代先進(jìn)的單片集成電路方面具有很好的應(yīng)用前景?;パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)作為單片…
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2024-12-07 08:42:29
氮化硼具有獨(dú)特的力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、光學(xué)、阻隔特性,在功能復(fù)合材料、導(dǎo)熱與散熱、能源器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。近年來,隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,氮…
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2024-12-02 08:36:37
六方氮化硼誕生在19世紀(jì)40年代的貝爾曼實(shí)驗(yàn)室中,它的結(jié)構(gòu)和性能與石墨極為相似,由于顏色潔白,有“白石墨”之稱。六方氮化硼陶瓷作為一種新型復(fù)合陶瓷…
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2024-11-23 12:20:54
納米技術(shù)是一個(gè)涉及在納米尺度上操縱材料的領(lǐng)域,包括在這一過程中采用的科學(xué)原理以及在這一尺度上新發(fā)現(xiàn)的物質(zhì)特性和發(fā)展前景。納米技術(shù)已應(yīng)用于藥物輸…