歡迎訪(fǎng)問(wèn) 納樸材料 官方網(wǎng)站!
聯(lián)系我們:18970647474
當(dāng)前位置:首頁(yè) > 新聞中心 > 行業(yè)新聞
新聞中心
news Center
聯(lián)系我們
Contact Us

蘇州納樸材料科技有限公司

聯(lián)系人:

李女士

Contact:

Ms. Li

手機(jī):

18970647474(同微信)

Mobile Phone:

+86-18970647474
(WeChat ID)

郵箱:

2497636860@qq.com

E-mail:

2497636860@qq.com

技術(shù)聯(lián)系人:

徐先生

Technical Contact:

Mr. Xu

手機(jī):

18914050103(同微信)

Mobile Phone:

+86-18914050103
(WeChat ID)

郵箱:

nanopure@qq.com

E-mail:

nanopure@qq.com

辦公室地址:

蘇州市相城區(qū)聚茂街185號(hào)D棟11層1102

Office Address:

D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China

工廠(chǎng)地址:

江西省吉安市井岡山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)

Plant Address:

Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China

白石墨六方氮化硼與石墨結(jié)構(gòu)相似,為啥h-BN不導(dǎo)電?

信息來(lái)源:本站 | 發(fā)布日期: 2022-01-11 16:28:16 | 瀏覽量:850390

摘要:

六方氮化硼與石墨具有非常類(lèi)似的結(jié)構(gòu)特征和成鍵性質(zhì),但兩者的導(dǎo)電性能有著非常的大的區(qū)別。這是為啥呢?下文小編與大家一起探討一下。石墨結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析石墨具有層狀的平面結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)如上圖所示,每層中碳原子都排列成蜂窩狀晶體結(jié)構(gòu),層內(nèi)原子間距0.142nm,層間距0.335nm。層…

六方氮化硼與石墨具有非常類(lèi)似的結(jié)構(gòu)特征和成鍵性質(zhì),但兩者的導(dǎo)電性能有著非常的大的區(qū)別。這是為啥呢?下文小編與大家一起探討一下。
石墨結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析
石墨具有層狀的平面結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)如上圖所示,每層中碳原子都排列成蜂窩狀晶體結(jié)構(gòu),層內(nèi)原子間距0.142nm,層間距0.335nm。層內(nèi)有σ和π鍵(示意圖可見(jiàn)下圖3,σ和π鍵的解釋見(jiàn)下文),層間有范德華力,層間距離較遠(yuǎn)未形成強(qiáng)化學(xué)鍵。
碳是第六號(hào)元素,所以碳原子的電子排布式為:1s22s22p2(碳原子的基態(tài))。在石墨稀層內(nèi)(即單層的石墨)每個(gè)碳原子與最近鄰的3個(gè)碳原子通過(guò)σ鍵相連接,相鄰σ鍵夾角為120°(σ鍵由sp2雜化軌道重疊產(chǎn)生,結(jié)合力強(qiáng),sp2雜化軌道原理見(jiàn)圖2),剩余的1個(gè)p電子軌道垂直于石墨烯平面(p軌道互相平行)。每個(gè)碳原子貢獻(xiàn)1個(gè)未成鍵的π電子(用P軌道電子參與成鍵的電子),與周?chē)脑有纬山Y(jié)合力比較弱的π共軛的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。在多原子分子或離子中,如有相互平行的p軌道,它們連貫重疊在一起構(gòu)成一個(gè)整體,p電子可在多個(gè)原子間運(yùn)動(dòng)形成π型化學(xué)鍵,這種不局限在兩個(gè)原子之間的π鍵稱(chēng)為離域π鍵或共軛大π鍵(見(jiàn)圖3,簡(jiǎn)稱(chēng)大π鍵,大π鍵具有特殊的穩(wěn)定性。在外加電場(chǎng)的影響下,離域π鍵中的電子可以在整個(gè)石墨層內(nèi)自由移動(dòng),這也就是為啥石墨層導(dǎo)電/導(dǎo)熱能力強(qiáng)的原因。
#碳原子的SP2雜化#基態(tài)原子在外界能量影響下,通過(guò)特定的規(guī)則變成激發(fā)態(tài),激發(fā)態(tài)外層的1個(gè)S軌道+2個(gè)P軌道雜化成3個(gè)SP2軌道,剩下一個(gè)單獨(dú)的P軌道,示意圖如下。

共軛/離域大π鍵的特征,σ鍵在同一平面,參與共軛的p軌道相互平行,且垂直于σ面,相鄰的p軌道間從側(cè)面重疊發(fā)生鍵離域,在共軛體系中,π電子云擴(kuò)展到整個(gè)體系。

六方氮化硼結(jié)構(gòu)
氮化硼(平均是6個(gè))和碳(6個(gè))是等電子的,性質(zhì)相似,和碳一樣,氮化硼有多種同質(zhì)異形體,其中六方氮化硼(α-BN)結(jié)構(gòu)則類(lèi)似于石墨,是一種十分實(shí)用的潤(rùn)滑劑,立方氮化硼(β-BN)結(jié)構(gòu)類(lèi)似于鉆石,硬度僅低于金剛石,但耐高溫性?xún)?yōu)于金剛石。

在石墨烯中,每個(gè)碳原子還擁有一個(gè)未成對(duì)電子,在垂直于平面方向上形成離域π鍵,π電子能夠在面內(nèi)高速自由移動(dòng),賦予了石墨烯優(yōu)異的電學(xué)/熱學(xué)特性。而單層h-BN是B原子和N原子交替排列形成的類(lèi)石墨烯的二維蜂窩狀結(jié)構(gòu),相鄰B原子和N原子之間同樣通過(guò)sp2雜化形成σ共價(jià)鍵,鍵長(zhǎng)0.145nm。除了成鍵電子外,h-BN也有兩個(gè)未成鍵電子及兩個(gè)垂直于平面的p軌道,因此從基本結(jié)構(gòu)上看,兩者性能應(yīng)當(dāng)相似,但不同的是,BN是極性共價(jià)鍵,由于N的電負(fù)性比B大,因此大π鍵上的電子更傾向于被固定在N的周?chē)鸁o(wú)法自由移動(dòng)(由于沒(méi)有形成共軛,也有人認(rèn)為它不應(yīng)該叫大π鍵),由于h-BN平面內(nèi)沒(méi)有可自由移動(dòng)的電子,π鍵上的電子離域性不高,室溫下,h-BN中載流子遷移率較低,因此h-BN具有優(yōu)異的電絕緣性。

h-BN是一種禁帶寬度為5~6eV的絕緣體,在紫外發(fā)光二極管等光電器件方面有廣闊的應(yīng)用前景。此外,h-BN片層內(nèi)具有較高的熱導(dǎo)率(通過(guò)聲子震動(dòng)導(dǎo)熱)和較低的熱膨脹系數(shù),是理想的散熱材料和高溫絕緣材料。但與石墨類(lèi)似的,雖然h-BN的層內(nèi)平面熱導(dǎo)率非常高,但在垂直BN層的方向上(層與層之間缺乏高效導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)),熱導(dǎo)率很低,因此需要通過(guò)特殊的工藝來(lái)形成有效的導(dǎo)熱通道,例如做成片狀氮化硼球,結(jié)構(gòu)如下。

相關(guān)文章 (related information)
相關(guān)產(chǎn)品 (Related Products)

Copyright 2020 蘇州納樸材料科技有限公司 蘇ICP備16022635號(hào)-1 版權(quán)聲明 技術(shù)支持:江蘇東網(wǎng)科技 [后臺(tái)管理]
Top