歡迎訪問 納樸材料 官方網(wǎng)站!
聯(lián)系我們:18970647474
當(dāng)前位置:首頁 > 新聞中心 > 行業(yè)新聞
新聞中心
news Center
聯(lián)系我們
Contact Us

蘇州納樸材料科技有限公司

聯(lián)系人:

李女士

Contact:

Ms. Li

手機(jī):

18970647474(同微信)

Mobile Phone:

+86-18970647474
(WeChat ID)

郵箱:

2497636860@qq.com

E-mail:

2497636860@qq.com

技術(shù)聯(lián)系人:

徐先生

Technical Contact:

Mr. Xu

手機(jī):

18914050103(同微信)

Mobile Phone:

+86-18914050103
(WeChat ID)

郵箱:

nanopure@qq.com

E-mail:

nanopure@qq.com

辦公室地址:

蘇州市相城區(qū)聚茂街185號D棟11層1102

Office Address:

D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China

工廠地址:

江西省吉安市井岡山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)

Plant Address:

Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China

如何生長大面積單晶多層六方氮化硼

信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2022-06-18 13:57:37 | 瀏覽量:713648

摘要:

絕緣的六方氮化硼(hexagonal boron nitride, hBN)被認(rèn)為是基于二維材料場效應(yīng)晶體管(FET)的理想襯底及介電層材料,可有效屏蔽電荷陷阱位點(diǎn)以防止散射。據(jù)報(bào)道,hBN薄膜用作二硫化鉬場效應(yīng)晶體管的襯底時(shí),載流子遷移率是二氧化硅襯底上相同器件的四倍 [1]。2018到202…

絕緣的六方氮化硼(hexagonal boron nitride, hBN)被認(rèn)為是基于二維材料場效應(yīng)晶體管(FET)的理想襯底及介電層材料,可有效屏蔽電荷陷阱位點(diǎn)以防止散射。據(jù)報(bào)道,hBN薄膜用作二硫化鉬場效應(yīng)晶體管的襯底時(shí),載流子遷移率是二氧化硅襯底上相同器件的四倍 [1]。2018到2020年,多個(gè)課題組陸續(xù)在Nature 和Science 雜志上報(bào)道了Au、Cu(110)或Cu(111)表面生長晶圓級單晶hBN單層 [2-4]。然而,單層hBN可能不足以完全抑制電子傳輸,在微電子器件領(lǐng)域諸多潛在應(yīng)用中,均勻可控的單晶多層hBN薄膜具有更大的價(jià)值,其大面積生長方法是制約未來應(yīng)用的核心問題。
單層hBN單晶的制備。圖片來源:Science [2]
目前雖然已有制備多層hBN的報(bào)道,但基本都是多晶材料。近日,韓國蔚山國立科學(xué)技術(shù)院(UNIST)Hyeon Suk Shin與Rodney S. Ruoff、韓國基礎(chǔ)科學(xué)研究所(IBS)Feng Ding和英國劍橋大學(xué)Manish Chhowalla等研究者合作,在Nature 雜志上發(fā)表論文,開發(fā)出一種在Ni(111)襯底上利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)生長大面積單晶多層結(jié)構(gòu)六方氮化硼的技術(shù),并解釋了其中的外延生長機(jī)理。氮化硼在Ni(111)表面的階梯邊緣成核,確保了它們的晶格取向一致。大面積高質(zhì)量的多層hBN單晶材料,為未來電子產(chǎn)品中替代二氧化硅襯底開辟了新的途徑。


均勻單晶多層hBN薄膜的合成示意圖。圖片來源:Nature [5]
制備反應(yīng)以環(huán)硼氮烷為前驅(qū)體,在1220 ℃條件下進(jìn)行。生長的初始階段(30 min),前驅(qū)體解離為B、N原子,由于B原子在金屬Ni中具有高溶解度,因此以固溶體形式溶解在Ni中。而N在Ni中的溶解度很低,不會在hBN的生長中發(fā)揮控制作用。通過表面調(diào)控機(jī)理(surface-mediated mechanism),hBN島在Ni(111)表面逐漸成核,并形成單向排列的三層結(jié)構(gòu)。


反應(yīng)裝置示意圖。圖片來源:Nature
隨后(45 min),這些晶體繼續(xù)外延生長,合并成更大的島,且晶體厚度幾乎保持不變。當(dāng)生長時(shí)間達(dá)到~60 min時(shí),基底被三層hBN完全覆蓋。冷卻后,溶解在Ni(111)中過量的B沉淀為Ni23B6層,位于三層hBN膜和Ni(111)基底之間,且厚度隨著冷卻速率的增大而變厚。利用濕法轉(zhuǎn)移,可以輕松的將hBN薄膜轉(zhuǎn)移到SiO2/Si襯底上。轉(zhuǎn)移后薄膜的平均厚度為1.27 ± 0.06 nm,拉曼光譜、XPS、紫外-可見吸收光譜等表征均證明三層hBN的結(jié)構(gòu),且具有高度均勻性。
在Ni(111)上生長三層hBN單晶薄膜。圖片來源:Nature
通過對橫截面TEM觀察,研究者發(fā)現(xiàn)三層hBN和Ni23B6之間以及Ni23B6和Ni(111)之間均存在外延關(guān)系,hBN中的方向與Ni23B6的[110]方向很好地對齊。其中,Ni23B6為面心立方晶系,晶格常數(shù) a=10.76 ?;三層hBN的層間距為0.33 nm,堆疊順序?yàn)锳A′A結(jié)構(gòu)。在九個(gè)不同位置收集的選區(qū)電子衍射圖案完全相同,表明hBN薄膜在1 mm的尺度上具有單晶結(jié)構(gòu)。
三層hBN的晶體結(jié)構(gòu)的電鏡表征。圖片來源:Nature
為了進(jìn)一步研究hBN的外延生長機(jī)理,研究者探索了不同生長時(shí)間下hBN島的成核過程。此前的研究表明,2D材料在襯底臺階邊緣附近成核,更符合熱力學(xué)穩(wěn)定性。模擬計(jì)算顯示,Ni(111)表面上單層、雙層和三層hBN膜的范德華相互作用在0°和60°旋轉(zhuǎn)角下有兩個(gè)局部極小值。因此,在臺階邊緣成核的hBN島即使在跨越臺階邊緣生長之后,也可以保持其原始的對齊方向。
而且,制備反應(yīng)的降溫速率不會對hBN薄膜的層數(shù)造成影響,說明其厚度是由表面調(diào)控生長機(jī)理決定的,而不是沉淀機(jī)理。因此,由于hBN結(jié)合能隨厚度增加而降低,就可以通過控制反應(yīng)溫度等條件來生長不同層數(shù)的hBN薄膜。有趣的是,隨后研究者只生長出雙層和五層的單晶hBN薄膜,卻無法實(shí)現(xiàn)四層和六層的單晶hBN薄膜生長。為何如此,還需要進(jìn)一步研究。
單晶多層hBN的生長機(jī)理。圖片來源:Nature
隨后,研究者又通過電化學(xué)實(shí)驗(yàn)利用析氫反應(yīng)將生成的三層hBN從襯底上剝離下來。制備的單晶hBN未出現(xiàn)任何損傷,而對比實(shí)驗(yàn)中,多晶hBN由于存在晶界,開始只能實(shí)現(xiàn)部分剝離。這也間接說明了三層hBN單晶薄膜是連續(xù)且均勻的,沒有明顯缺陷。基于單晶三層hBN制備的FET器件,減少了電荷俘獲,同時(shí)阻止了由于SiO2襯底帶來的電子摻雜。此外,單晶三層hBN之上的MoS2表現(xiàn)出更好的傳輸性質(zhì),遷移率達(dá)到90 cm2 V s?1,優(yōu)于SiO2(56? cm2 V s?1)。
電化學(xué)剝離hBN并作為FET介電層。圖片來源:Nature
盡管有研究者認(rèn)為,如果用氮化硼作為絕緣層,最好達(dá)到~10 nm厚度 [6]。然而,該工作還是為大面積多層hBN薄膜的制備,提供了更多的可能性,也為進(jìn)一步探索多層hBN單晶生長的機(jī)理提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

相關(guān)文章 (related information)
相關(guān)產(chǎn)品 (Related Products)

Copyright 2020 蘇州納樸材料科技有限公司 蘇ICP備16022635號-1 版權(quán)聲明 技術(shù)支持:江蘇東網(wǎng)科技 [后臺管理]
Top